第476章 层闪存芯片

    第二天。

    常乐和曾熙返回江州，然后马不停蹄转道去了长宁。

    抵达长宁，没有惊动地方，直奔长宁存储。

    刚下车，看见长宁存储cEo杨永宁、coo高启明，迈着轻快步伐大步跑来。

    两人脸上都洋溢着激动、兴奋的神色。

    常乐问两位：“介绍一下？”

    杨永宁和高启明同时点头。

    杨永宁先说：

    “老板，基于xtacking架构的128层qLc3dNANd闪存研发成功……”

    “而且，已经通过群联、联芸两家控制器厂的SSd系统验证。”

    “我们计划今年年底正式量产，推向市场。”

    高启明接着说：

    “另外，128层tLc规格的闪存芯片，也同时研发成功，这表明我们领先了全世界。”

    qLc与tLc是常见的存储芯片类型。

    两者运用于不同的场景。

    区别就在于，每一个存储单元能够存储的位数不同。

    qLc芯片，每个存储单元可以存储四个比特。

    tLc芯片，每个存储单元可以存储三个比特。

    所以qLc的存储密度比tLc更高，但是耐久性不行。

    一般，qLc应用于小容量场景，如家用的固态硬盘；

    而tLc应用于大容量场景，如数据中心的服务器。

    常乐、曾熙听完两人的介绍，很高兴。

    在EUV面世、国内高端芯片面临无法生继续迭代和生产的关键时刻……

    闪存芯片领先全球，是一个振奋人心、提振士气的消息。

    曾熙问道：“其他技术大厂的研发进程是什么情况？”

    高启明回答：“目前，基本停留在96层技术上，部分厂96层还未进入量产。”

    “三星已经大规模量产第五代V-NANd存储芯片，堆叠层数96层。”

    “美光最近遭受晋华、联电的反诉，后者认为美光的产品专利侵权。”

    “据悉，当前的证据对镁光极为不利，镁光可能采取场外手段反制。”

    “他们目前只能量产64层3dtLcNANd芯片，96层芯片还在研发，计划今年年底推出。”

    “东芝存储已经改名铠侠，他们也已经成功研发96层3dNANdFLASh芯片，但是也没有量产。”

    “其他，如SK海力士、英特尔等大厂，总体进度和三星一致，要实现128层芯片堆叠，还需要1-2年时间。”

    “也就是说，从目前起，我们已经从追赶角色转变为引领角色。”

    说到这里，高启明、杨永宁脸上神情非常振奋。

    常乐也是喜上心头，溢于言表。

    回顾长宁存储的成立和入局，不过才4年多时间。

    当初成功研发32层技术时，与国际大厂的技术差距大概在5年时间左右。

    然而。

    在杨永宁、高启明的带领下，短短4年多时间，就攻克32层、64层，略过96层，突破至128层……

    抹平了代差不说，还领先一个代次。

    这其中，xtacking架构功不可没。

    xtacking架构是全新自主架构，没有任何专利陷阱。

    目前，长宁存储已经在xtacking架构上，积累了1000多项核心专利。

    当然，刻蚀、沉积等国产替代设备也至关重要。

    他对曾熙说：

    “曾姐，公司安排一笔专项资金，对研发人员进行重奖。”

    曾熙点头... -->>
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